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CasaProdutosProdutos semicondutores discretosTransistores - FETs, MOSFETs - SingleSUP90N04-3M3P-GE3
Vishay Siliconix
A imagem é apenas para referência. Por favor, consulte as especificações para detalhes do produto.

SUP90N04-3M3P-GE3 - Vishay Siliconix

Fabricante Modelo do Produto
SUP90N04-3M3P-GE3
Fabricante
Vishay / Siliconix
Allelco Modelo do Produto
32D-SUP90N04-3M3P-GE3
Modelo ECAD
Descrição das peças
MOSFET N-CH 40V 90A TO220AB
Descrição detalhada
Embalagem
TO-220-3
Ficha de dados
SUP90N04-3M3P-GE3.pdf
Estado de RoHS
Disponível: 5150

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Quantidade

Especificações

Especificações técnicas SUP90N04-3M3P-GE3
Vishay Siliconix - SUP90N04-3M3P-GE3 Especificações técnicas, atributos, parâmetros e peças com especificações semelhantes ao Vishay Siliconix - SUP90N04-3M3P-GE3

Atributo do Produto Valor do Atributo  
Fabricante Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Embalagem do dispositivo fornecedor TO-220AB  
Série TrenchFET®  
RDS ON (Max) @ Id, VGS 3.3mOhm @ 22A, 10V  
Dissipação de energia (Max) 3.1W (Ta), 125W (Tc)  
Caixa / Gabinete TO-220-3  
Pacote Bulk  
Atributo do Produto Valor do Atributo  
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo de montagem Through Hole  
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 5286 pF @ 20 V  
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 131 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica FET -  
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 4.5V, 10V  
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 40 V  
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 90A (Tc)  
Número do produto base SUP90  

Peças com especificações semelhantes

As três partes à direita têm especificações semelhantes ao Vishay Siliconix SUP90N04-3M3P-GE3

Atributo do Produto SUP90N04-3M3P-GE3 SUP90N06-6M0P-E3 SUP90140E-GE3 SUP90N06-5M0P-E3
Modelo do Produto SUP90N04-3M3P-GE3 SUP90N06-6M0P-E3 SUP90140E-GE3 SUP90N06-5M0P-E3
Fabricante Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Número do produto base SUP90 SUP90 SUP90140 SUP90
Embalagem do dispositivo fornecedor TO-220AB TO-220AB TO-220AB TO-220AB
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Caixa / Gabinete TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 4.5V, 10V 10V 7.5V, 10V 10V
RDS ON (Max) @ Id, VGS 3.3mOhm @ 22A, 10V 6mOhm @ 20A, 10V 17mOhm @ 30A, 10V 5mOhm @ 20A, 10V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Pacote Bulk Tube Tube Strip
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 40 V 60 V 200 V 60 V
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Característica FET - - - -
Dissipação de energia (Max) 3.1W (Ta), 125W (Tc) 3.75W (Ta), 272W (Tc) 375W (Tc) 3.75W (Ta), 300W (Tc)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tipo de montagem Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Série TrenchFET® TrenchFET® ThunderFET® TrenchFET®
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 90A (Tc) 90A (Tc) 90A (Tc) 90A (Tc)
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 131 nC @ 10 V 120 nC @ 10 V 96 nC @ 10 V 160 nC @ 10 V
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA 4.5V @ 250µA 4V @ 250µA 4.5V @ 250µA
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 5286 pF @ 20 V 4700 pF @ 30 V 4132 pF @ 100 V 6190 pF @ 30 V

SUP90N04-3M3P-GE3 PDF da folha de dados

Faça o download do SUP90N04-3M3P-GE3 PDF Datahets e Vishay Siliconix Documentation para SUP90N04-3M3P-GE3 - Vishay Siliconix.

Outros documentos relacionados
Packaging Information.pdf
Obsolescência PCN/ EOL
Mult Mosfet EOL 30/Aug/2018.pdf

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Custo de entrega

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Região País Hora logística (dia)
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Brasil 7
Europa Alemanha 5
Reino Unido 4
Itália 5
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Nova Zelândia 5
Ásia Índia 4
Japão 4
Médio Oriente Israel 6
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Taxas de remessa (kg) Referência DHL (USD $)
0,00kg-1,00kg USD $ 30,00 - USD $ 60,00
1,00kg-2.00kg USD $ 40,00 - USD $ 80,00
2,00kg-3,00 kg US $ 50,00 - USD $ 100,00
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