O 2N1711 O transistor, envolto em um pacote de metal para 39, desempenha diversos papéis, como comutação, amplificação e oscilação.Ele lida com até 500mA de corrente de coletor na comutação e suporta correntes de coletor de pico de até 1A, gerenciando adepto de breves picos de alta corrente.Essa habilidade faz do 2N1711 uma escolha confiável para circuitos que exigem respostas rápidas e dinâmicas.
Em suas aplicações práticas, a natureza flexível do 2N1711 brilha.Ele se destaca em alternar rapidamente as correntes, tornando -o adequado para uma variedade de usos, desde a amplificação direta do sinal até tarefas complexas de oscilação.Seu design robusto garante uma operação confiável em várias configurações eletrônicas, espelhando lições aprendidas com o uso real onde a precisão e a firmeza são importantes.
A implantação do 2N1711 enfatiza seu papel necessário.Nos circuitos de amplificação de áudio, por exemplo, pode aumentar acentuadamente a clareza e a fidelidade.Esses aprimoramentos mostram que, mesmo com os avanços tecnológicos, componentes tradicionais como o 2N1711 permanecem fundamentais para alcançar um desempenho excepcional.
Tipo |
Parâmetro |
Montar |
Através do buraco |
Tipo de montagem |
Através do buraco |
Pacote / caso |
TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN |
Número de pinos |
3 |
Peso |
4.535924G |
Material do elemento transistor |
Silício |
Tensão de quebra do coletor-emitidor |
50V |
Número de elementos |
1 |
hfe (min) |
40 |
Temperatura operacional |
175 ° C TJ |
Embalagem |
Tubo |
Código JESD-609 |
E3 |
Código PBFree |
Sim |
Status da peça |
Obsoleto |
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) |
1 (ilimitado) |
Número de terminações |
3 |
Acabamento terminal |
Tin Matte (SN) |
Tensão - DC nominal |
75V |
Dissipação máxima de energia |
800mw |
Posição terminal |
Fundo |
Forma terminal |
Arame |
Classificação atual |
500mA |
Freqüência |
100MHz |
Número da peça base |
2N17 |
Contagem de pinos |
3 |
Configuração do elemento |
Solteiro |
Dissipação de energia |
800mw |
Aplicação do transistor |
Comutação |
Ganhe produto de largura de banda |
100MHz |
Polaridade/tipo de canal |
Npn |
Tipo de transistor |
Npn |
Tensão do emissor de colecionador (VCEO) |
50V |
Corrente do coletor máximo |
500mA |
Ganho atual de DC (HFE) @ IC, VCE |
35 @ 100mA, 10V |
Corrente - Corte de colecionador (MAX) |
10Na ICBO |
VCE Saturação (Max) @ ib, IC |
1.5V a 15mA, 150mA |
Frequência de transição |
100MHz |
Tensão da base do coletor (VCBO) |
75V |
Tensão da base do emissor (vebo) |
7V |
Altura |
6,6 mm |
Comprimento |
9,4mm |
Largura |
9,4mm |
Endurecimento da radiação |
Não |
Status do ROHS |
ROHS3 compatível |
Chumbo livre |
Chumbo livre |
Recurso |
Descrição |
Tipo de pacote |
TO-39 |
Tipo de transistor |
Npn |
Corrente de colecionador Max (IC) |
500 MA |
Max Collector-Emitter Tensão (VCE) |
50 v |
Tensão máxima do coletor-base (VCB) |
75 v |
Tensão máxima da base do emissor (VBE) |
7 v |
Dissipação de colecionador Max (PC) |
800 MW |
Frequência de transição máxima (FT) |
100 MHz |
Ganho de corrente CD mínima e máxima (HFE) |
100 a 300 |
Faixa máxima de armazenamento, operação e temperatura da junção |
-65 ° C a 200 ° C. |
Conhecida por sua resiliência ao lidar com tensões elevadas, o 2N1711 se destaca como um guardião contra o colapso.Nos projetos de fonte de alimentação, garantir que a confiabilidade sob estresse se torne mais aparente.Ao selecionar componentes com essa resistência de tensão, os eletrônicos suportam e prosperam em condições desafiadoras, oferecendo tranqüilidade àqueles que dependem deles.
Exibindo corrente mínima de vazamento, o 2N1711 otimiza a eficiência do circuito, minimizando o uso de energia injustificado durante a inatividade.Especialmente em dispositivos movidos a bateria, essa característica se torna um benefício, estendendo os intervalos entre as cargas e alimentando a vida útil do dispositivo.Muitas vezes, você pode escolher transistores com esse recurso para criar designs mais sustentáveis.
Devido à sua baixa capacitância, esse transistor minimiza as interrupções em sinais de alta frequência, tornando-se um pilar de confiabilidade em aplicativos de RF.Onde a clareza e a precisão são procuradas, esse desempenho garante que os dispositivos de comunicação mantenham a integridade do sinal, provocando confiança em seus usuários.
Uma ampla gama de corrente, juntamente com a versão beta estável, oferece adaptabilidade em cenários de amplificação, acomodando graciosamente cargas variadas sem flutuações substanciais no ganho.Esse atributo simplifica os processos de design, fornecendo desempenho consistente em diferentes paisagens operacionais.Os transistores com essas características são favorecidos por sua confiabilidade na entrega de respostas previsíveis do circuito.
O transistor 2N1711 geralmente encontra um local em vários aplicativos de comutação.Sua construção sólida o torna adequado para lidar com tarefas de média energia sem esforço, mesmo em cenários desafiadores.Você pode prejudicá-lo para os circuitos que precisam de transições rápidas, alavancando sua proficiência confiável de comutação para aumentar a capacidade de resposta do sistema.A experiência indica que seu desempenho estável em diversas condições o torna uma escolha confiável para sistemas dinâmicos.
Nas configurações de áudio, o 2N1711 funciona como um amplificador competente.Você pode apreciar sua capacidade de melhorar a clareza boa, ampliando sinais com distorção mínima.Seu papel nos circuitos analógicos enfatiza sua importância na manutenção da integridade do sinal, que é ativa para áudio de alta fidelidade.Muitas vezes, você pode recorrer a projetos de áudio DIY, valorizando sua precisão e confiabilidade.
O domínio da pré-amplificação é outra área em que o 2N1711 brilha.Ele prepara sinais para etapas adicionais de amplificação, garantindo que os resultados sejam claros e fiéis.Seu perfil de baixo ruído o torna adequado para aplicações sensíveis de áudio e radiofrequência, onde a qualidade do sinal precoce desempenha um papel importante no resultado.O uso do 2N1711 na pré-amplificação pode aumentar significativamente o desempenho.
O alcance do 2N1711 se estende às tarefas de radiofrequência, onde lida com sinais de RF de maneira eficaz.Sua capacidade de operar em altas frequências o torna avaliado nos circuitos de RF.Você pode depender de sua estabilidade e precisão para sustentar a qualidade consistente da comunicação, onde a força do sinal contra a interferência está ativa.O uso real desse componente geralmente destaca seu principal papel nos avanços da tecnologia de RF.
Além de aplicações específicas, o 2N1711 é empregado para amplificação geral do sinal.Auxilia em projetos que variam de pequenos eletrônicos a projetos complexos de circuitos, oferecendo funções úteis de amplificação.Sua flexibilidade permite atender às diferentes demandas de circuitos com facilidade, fornecendo consistentemente resultados excelentes em vários aplicativos.Essa versatilidade incorpora a estratégia mais ampla de usar componentes adaptáveis para simplificar o design e a execução em diversos empreendimentos tecnológicos.
O transistor 2N1711 mostra adaptabilidade notável, encaixando -se perfeitamente na base comum, emissor comum e configurações de colecionadores comuns.Cada configuração oferece suas vantagens.A configuração comum do emissor, em particular, é estimada por sua tensão impressionante e ganho de potência.Geralmente, aumenta a força do sinal de entrada em aproximadamente 20dB, traduzindo -se para um aumento de cem vezes.Aqui, a tensão do coletor supera a tensão base, enquanto a corrente do emissor envolve correntes de base e coletor, demonstrando o fluxo de corrente cumulativo.
As variações de doping desempenham um papel fundamental nas operações do transistor.O emissor passa por doping pesado, diminuindo assim a resistência e aumentando a injeção de elétrons.Por outro lado, o coletor recebe doping leve para facilitar a coleta eficiente e minimizar a perda de energia.Essas diferenças moldam os traços de amplificação e garantem confiabilidade em diversas aplicações.
Compreendendo o fator de amplificação atual, indicado pelo beta (β), auxilia na criação de circuitos eficientes.Ele define a razão entre a corrente do coletor e a corrente base, ajudando você a prever o comportamento do transistor em condições variadas.As aplicações práticas destacam como o controle cuidadoso do β pode influenciar significativamente o desempenho do circuito, influenciando assim as decisões em que a estabilidade e a eficiência são usadas.
A stmicroeletrônica surge como uma força substancial no setor de semicondutores, comemorou por suas inovações inovadoras.Na vanguarda da microeletrônica, a experiência da empresa brilha através de suas capacidades de ponta, especialmente nas tecnologias de sistema sobre chip (SOC).Suas soluções abrangem uma ampla variedade de campos, incorporando-se profundamente nos setores automotivo, industrial, de eletrônicos pessoais e de comunicação, mostrando sua influência de longo alcance.
A proezas da stmicroeletrônica na tecnologia SOC é um elemento inicial de seu sucesso, facilitando a fusão de funcionalidades complexas em componentes unificados.Ao aperfeiçoar essas soluções, elas impactaram profundamente a eficiência e o desempenho dos dispositivos eletrônicos.Essa estratégia maximiza o espaço e a eficiência de energia, elevando as experiências do usuário em diversas plataformas, refletindo sua dedicação ao avanço e excelência.
O 2N1711 é um transistor NPN baseado em silício.Ele encontra seu lugar em configurações de alto desempenho, como amplificadores, osciladores e interruptores.Seu design brilha principalmente em amplificação de baixo ruído, tornando-a uma escolha preferida para usos de áudio e radiofrequência.Em aplicações reais, é estimado para melhorar a clareza do sinal em dispositivos de comunicação e eletrônicos sensíveis.O estudo de implementações bem -sucedidas destaca como a seleção de componentes influencia o desempenho geral do sistema.
O 2N1711 opera como um transistor de junção bipolar (BJT), usando orifícios e elétrons para condução.Ao aplicar uma tensão positiva à base, o transistor modula correntes maiores entre o emissor e o coletor, funcionando como um amplificador de corrente.Esse processo permite controle preciso nos circuitos eletrônicos, mostrando seu papel na regulação e na modulação do sinal.As idéias da indústria mostram que a manipulação hábil da corrente base pode aumentar significativamente o desempenho do transistor, ilustrando os meandros da engenharia eletrônica estratégica.
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