IRLML2502 foi projetado com foco na eficiência e confiabilidade.Oferece uma resistência ultra baixa, o que o torna perfeito para situações em que reduzir a perda de energia é uma prioridade.Esse MOSFET de canal n é comumente usado em aplicações que requerem comutação rápida e desempenho estável sob várias condições.A tecnologia avançada por trás desse componente garante que ele tenha um bom desempenho, mesmo em designs compactos, graças à sua pequena pegada.A construção robusta do MOSFET permite lidar com ambientes exigentes, fornecendo desempenho consistente em uma variedade de aplicações.
Seu pacote Compact Micro3 ™ é particularmente útil para situações em que o espaço é apertado.Se você está trabalhando em um projeto em que o espaço é limitado - como em cartões eletrônicos portáteis ou PCMCIA - esse MOSFET pode ser o ajuste ideal.O baixo perfil do pacote facilita a integração em dispositivos finos, mantendo um bom gerenciamento térmico, o que ajuda a manter o dispositivo frio e operacional ao longo do tempo.
Este MOSFET foi projetado com uma resistência ultra-baixa, o que ajuda a reduzir a perda de energia durante a operação.Você achará isso útil ao trabalhar em projetos que precisam de gerenciamento de energia eficiente.
O IRLML2502 é um MOSFET de canal n, o que significa que controla a corrente aplicando uma tensão positiva ao portão.Esse tipo de MOSFET é amplamente utilizado para comutação e amplificação em vários circuitos.
Sua pequena pegada SOT-23 facilita a integração em designs compactos.Isso é especialmente útil se você estiver trabalhando com aplicativos com restrição de espaço ou precisar de um componente leve.
Com um perfil baixo inferior a 1,1 mm, esse MOSFET se encaixa bem em dispositivos finos.Esse recurso é ideal para eletrônicos e aplicações portáteis, onde todos os pouco do espaço são importantes.
O IRLML2502 está disponível em embalagens de fita e carretel, tornando -o conveniente para linhas de produção automatizadas.Isso garante a facilidade de manuseio e colocação durante a fabricação.
A capacidade de comutação rápida do MOSFET permite transições rápidas entre os estados ligados e desligados.Você achará esse recurso valioso ao trabalhar em circuitos que exigem operação em alta velocidade.
Ele utiliza uma estrutura de células planas que aprimora sua área de operação segura (SOA).Isso garante uma operação confiável em condições variadas, ajudando a evitar possíveis danos causados por correntes ou tensões excessivas.
Este MOSFET está amplamente disponível através de parceiros de distribuição, o que significa que você não terá problemas para obtê -lo para seus projetos.É uma escolha confiável com ampla disponibilidade.
O IRLML2502 foi qualificado seguindo os padrões JEDEC, para que você possa confiar em sua confiabilidade e desempenho para uso a longo prazo em várias aplicações.
Seu design de silício é otimizado para aplicações que requerem comutação abaixo de 100kHz.Isso o torna uma excelente opção para circuitos de comutação de menor frequência.
O IRLML2502 vem em um pacote de montagem de superfície padrão do setor, o que facilita o trabalho na maioria dos projetos, garantindo a compatibilidade com sistemas e componentes existentes.
Especificações técnicas, atributos, parâmetros e peças comparáveis para IRLML2502tr 'da Infineon Technologies.
Tipo | Parâmetro |
Tipo de montagem | Montagem na superfície |
Pacote / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Montagem na superfície | Sim |
Material do elemento transistor | Silício |
Atual - dreno contínuo (id) @ 25 ℃ | 4.2a ta |
Número de elementos | 1 |
Temperatura operacional (máx.) | 150 ° C. |
Embalagem | Fita de corte (CT) |
Série | HEXFET® |
Publicado | 2003 |
Código JESD-609 | E3 |
Status da peça | Descontinuado |
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | 1 (ilimitado) |
Número de terminações | 3 |
Código ECCN | Ear99 |
Acabamento terminal | Tin Matte (SN) |
Recurso adicional | Alta confiabilidade |
Posição terminal | DUAL |
Forma terminal | Asa de gaivota |
Temperatura de refluxo de pico (° C) | 260 |
Time @ Peak Refllow Temper | 30 |
Código JESD-30 | R-PDSO-G3 |
Status de qualificação | Não qualificado |
Configuração | Único com diodo embutido |
Modo de operação | Modo de aprimoramento |
Tipo de FET | N-canal |
Aplicação do transistor | Comutação |
Rds em (max) @ id, vgs | 45mΩ @ 4.2a, 4.5V |
VGS (th) (max) @ id | 1.2V a 250μA |
Capacitância de entrada (CISS) (max) @ vds | 740pf @ 15V |
Carga do portão (QG) (Max) @ VGS | 12NC @ 5V |
Escorra para a tensão de origem (VDSS) | 20V |
Código JEDEC-95 | TO-236AB |
Drene a corrente-max (ABS) (ID) | 4.2a |
Soldagem de drenagem na resistência-max | 0,045Ω |
Drenagem pulsada de corrente-max (IDM) | 33a |
DS de decomposição de tensão-min | 20V |
Dissipação de energia-max (ABS) | 1.25W |
Status do ROHS | Compatível não-RHS |
Número da peça | Descrição | Fabricante |
IRLML2502TR Transistores | Transistor de efeito de campo de potência, 4.2a i (d), 20v, 0,045Ohm, 1 elemento, canal n, silício, semicondutor de óxido de metal FET, micro-3 | Retificador internacional |
IRLML2502PBF Transistores | Transistor de efeito de campo de potência, 4.2a I (d), 20V, 0,045Ohm, 1 elemento, canal N, silicone, semicondutor de óxido de metal FET, TO-236AB, halogênio e chumbo, micro-3 | Retificador internacional |
IRLML2502 Transistores | Transistor de efeito de campo de potência, 4.2a i (d), 20v, 0,045Ohm, 1 elemento, canal n, silício, semicondutor de óxido de metal FET, micro-3 | Retificador internacional |
IRLML2502GTRPBF Transistores | Transistor de efeito de campo de potência, 4.2a I (d), 20V, 0,045Ohm, 1 elemento, canal n, silício, semicondutor de óxido de metal FET, TO-236AB, sem chumbo, micro-3 | Infineon Technologies AG |
Se você está trabalhando com a DC Motors, o IRLML2502 pode ser uma adição útil.Sua baixa resistência e velocidade de comutação rápida o tornam ótimo para controlar a velocidade e a eficiência do motor.Você descobrirá que ele pode lidar com as demandas dos aplicativos de motor, mantendo o desempenho suave e consistente.
O IRLML2502 também é uma boa escolha quando se trata de inversores.Devido aos seus recursos rápidos de comutação, isso ajuda a converter com eficiência CC em AC.Você notará que esse MOSFET funciona bem nas configurações, onde você precisa de desempenho confiável ao longo do tempo.
Para fontes de alimentação em modo de comutador (SMPS), este MOSFET oferece baixa perda de energia e alta eficiência que você pode precisar.Seu pacote de baixo perfil e compacto facilita a integração nos designs SMPs, especialmente quando você está lidando com espaços apertados.
Nas aplicações de iluminação, o IRLML2502 pode ajudar a controlar a energia que vai para LEDs ou outras fontes de luz.Você encontrará sua eficiência e capacidade de lidar com correntes mais altas úteis ao trabalhar com sistemas de iluminação pequenos e grandes.
Os recursos de baixa resistência e alta corrente do MOSFET o tornam uma forte escolha para interruptores de carga.Esteja você controlando a energia para diferentes partes de um dispositivo ou alternando entre cargas, esse componente garante uma operação suave.
Se você estiver projetando dispositivos movidos a bateria, o IRLML2502 oferece a eficiência necessária para prolongar a duração da bateria.Sua baixa perda de energia significa que o seu dispositivo pode funcionar por mais tempo em uma única carga, tornando-o ideal para eletrônicos portáteis ou outros sistemas operados por bateria.
A Infineon Technologies, anteriormente conhecida como Siemens Semiconductor, traz uma riqueza de experiência à mesa.Com seu foco na inovação e adaptabilidade, a Infineon se tornou um provedor líder de componentes microeletrônicos.Sua ampla gama de produtos foi projetada para atender às necessidades de vários setores, desde eletrônicos de consumo até aplicações industriais.Esse MOSFET se beneficia do compromisso da Infineon com a fabricação e o desenvolvimento de produtos de alta qualidade.A empresa continua a evoluir na indústria de microeletrônica em constante mudança, oferecendo componentes que atendem às demandas da tecnologia moderna.Seu extenso portfólio de produtos inclui não apenas circuitos integrados, mas também dispositivos semicondutores discretos, garantindo que você possa encontrar soluções adaptadas aos requisitos específicos do seu projeto
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