O 2N2218 é um transistor de silício NPN adaptável envolto em um pacote de metal JEDEC TO-39, criado com tecnologia planar epitaxial.Essa opção de design aprimora sua confiabilidade e eficácia em vários usos.É adaptado para aplicações de comutação rápida, gerenciando habilmente correntes de coletores de até 500 Ma, tornando -o ideal para circuitos que exigem resposta e consistência rápidas.Os usos práticos incluem circuitos de tempo e circuitos de geração de pulsos, onde a necessidade de velocidade e confiabilidade é dominante.O 2N2218 brilha em sua capacidade de fornecer um forte ganho de corrente sobre um amplo espectro de correntes operacionais, fornecendo confiabilidade e eficiência.Isso é especificamente vantajoso nos circuitos de amplificação, onde o ganho constante é desejado.Um aspecto atraente do 2N2218 é seu baixo vazamento e tensão de saturação reduzida, promovendo operação eficiente e minimizando a dissipação desnecessária de energia.Isso aprimora a função geral do circuito, uma qualidade muito valorizada em considerações de projeto.
Pino não |
Nome do pino |
1 |
Emissor |
2 |
Base |
3 |
Coletor |
Tipo |
Parâmetro |
Status do ciclo de vida |
Na produção (Última atualização: 1 mês atrás) |
Time de entrega da fábrica |
22 semanas |
Montar |
Através do buraco |
Tipo de montagem |
Através do buraco |
Pacote / caso |
TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN |
Número de pinos |
3 |
Pacote de dispositivo de fornecedor |
TO-39 (TO-205AD) |
Current-Collector (IC) (Max) |
800mA |
Número de elementos |
1 |
Temperatura operacional |
-55 ° C ~ 200 ° C TJ |
Embalagem |
Volume |
Publicado |
2007 |
Status da peça |
Descontinuado |
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) |
1 (ilimitado) |
Temperatura de operação máxima |
200 ° C. |
Min Temperatura de operação |
-55 ° C. |
Dissipação máxima de energia |
800mw |
Polaridade |
Npn |
Dissipação de energia |
800mw |
Poder - máx |
800mw |
Tipo de transistor |
Npn |
Tensão do emissor de colecionador (VCEO) |
30V |
Corrente do coletor máximo |
800mA |
Ganho atual de CC (HFE) (min) @ IC, VCE |
40 @ 150mA 10V |
Corrente - Corte de colecionador (MAX) |
10Na |
VCE Saturação (Max) @ ib, IC |
1.6V @ 50Ma, 500mA |
Tensão - colapso do emissor de colecionador (max) |
30V |
Tensão da base do coletor (VCBO) |
60V |
Tensão da base do emissor (vebo) |
5V |
Endurecimento da radiação |
Não |
Status do ROHS |
Compatível não-RHS |
Recurso |
Especificação |
Tipo |
Npn |
Tensão de coletor-emitidor (VCE) |
30 v |
Tensão de coletor-base (VCB) |
60 v |
Tensão emissora-base (veb) |
5 v |
Corrente do coletor (IC) |
0,8 a |
Dissipação de Coletor (PC) |
0,8 w |
Ganho atual de DC (HFE) |
40 a 120 |
Frequência de transição (FT) |
250 MHz |
Temperatura de operação e armazenamento |
-65 a +200 ° C |
Pacote |
TO-39 |
- 2N2219
- 2N4237
- NTE123
- 2N2219A
O transistor 2N2218 se destaca na comutação de alta velocidade devido à sua capacidade de resposta rápida.Lidando com as mudanças de tensão rápida e corrente, ele se adapta aos sistemas que prosperam no ciclismo rápido.Muitas vezes integrado aos circuitos de controle automatizados, aumenta a proezas operacionais, garantindo um tempo preciso.Na automação industrial e robótica, onde a prontidão oferece uma vantagem distinta, essa característica se torna principalmente valiosa.
Nos domínios de áudio e sinal, o 2N2218 amplifica com clareza, aumentando efetivamente as entradas fracas.Sua linearidade minimiza a distorção, elevando a qualidade do som.Em configurações de áudio e estúdios de gravação ao vivo, o transistor protege a integridade do som, enriquecendo seu calibre de experiência e produção.Seu design robusto atende a um período de necessidades de amplificação, desde impulsionamentos rudimentares a interfaces de áudio complexos.
Os circuitos de RF requerem componentes que mantêm o desempenho de alta frequência perfeitamente.O 2N2218 fornece a estabilidade e confiabilidade necessárias nos sistemas de RF.É a chave nos dispositivos de comunicação sem fio para preservar a clareza do sinal entre as frequências.Você pode prejudicá -lo nos amplificadores de RF para garantir a redução constante de saída e ruído, apoiando a demanda por conectividade impecável.
Utilizado em pares de Darlington, o 2N2218 aprimora acentuadamente o ganho atual, adequado para cargas mais pesadas.Comum em controles motores e circuitos de potência, essa configuração gerencia o fluxo de corrente com eficiência, minimizando soluções volumosas de dissipação de calor.Você pode explorar esses pares para gerenciamento de energia compacto e eficiente, otimizando fatores espaciais e de desempenho.
A versatilidade do 2N2218 abrange uma ampla gama de aplicações, atendendo a várias necessidades de circuito.Sua natureza adaptável o torna um dos pilares no desenvolvimento de experimentos e protótipos, oferecendo um campo de testes confiáveis para inovações.Praticamente, você pode valorizar sua flexibilidade, apoiando tudo, desde pequenos gadgets a circuitos complexos, afirmando seu apelo duradouro em várias arenas.
Número da peça |
Fabricante |
Montar |
Pacote / caso |
Polaridade |
Tensão - emissor de colecionador
Aparelho (Max) |
Corrente do coletor máximo |
Dissipação máxima de energia |
Dissipação de energia |
Nível de sensibilidade à umidade
(MSL) |
Ver compare |
2N2218 |
Microsemi Corporation |
Através do buraco |
TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN |
Npn |
30V |
800 mA |
800 MW |
800 MW |
1 (ilimitado) |
2n2218 vs 2n2219a |
2N2219A |
Microsemi Corporation |
Através do buraco |
TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN |
Npn |
50V |
800 mA |
800 MW |
800 MW |
1 (ilimitado) |
2n2218 vs 2n2219a |
Jantx2n2219a |
Microsemi Corporation |
Através do buraco |
TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN |
Npn |
50V |
800 mA |
800 MW |
800 MW |
1 (ilimitado) |
2N2218 vs Jantx2n2219a |
Jan2n2219a |
Microsemi Corporation |
Através do buraco |
TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN |
Npn |
50V |
800 mA |
800 MW |
800 MW |
1 (ilimitado) |
2N2218 vs JAN2N2219A |
O transistor 2N2218, com sua capacidade de lidar com até 800mA, se presta bem a uma variedade de aplicações.Serve para alimentar componentes de alta potência, amplificar sinais de áudio e operar com eficiência nos sistemas de RF.A consideração cuidadosa da temperatura da junção e do gerenciamento térmico se torna importante nesses cenários para mitigar os riscos de superaquecimento.
Em aplicações práticas, o gerenciamento da distribuição atual e da dissipação de calor para o 2N2218 requer atenção aos detalhes e uma abordagem atenciosa.Muitas vezes, você pode confiar em dissipadores de calor ou ventiladores de resfriamento para manter as temperaturas propícias à operação ideal.Além disso, as condições ambientais ambientais desempenham um papel substancial, afetando profundamente o desempenho e a segurança do transistor, garantindo um entendimento rico em experiência.
• Amplificação de sinal de áudio: No mundo da amplificação de áudio, o 2N2218 se destaca devido à sua capacidade de amplificar sinais com distorção mínima.Isso o torna uma opção atraente para quem procura melhorar a qualidade do som.Ao focar em alcançar um equilíbrio harmonioso entre ganho e largura de banda, é possível realizar a saída de áudio que é clara e poderosa.
• Aplicações de radiofrequência (RF): Os pontos fortes do 2N2218 em aplicações de RF decorrem de sua resposta e estabilidade de alta frequência.Dentro dos circuitos de RF, são necessárias correspondência de impedância meticulosa e blindagem proativa para reduzir a perda e a interferência.A arte do design de RF combina insights nocionais com testes metódicos e refinamentos iterativos, enfatizando o compromisso com o desempenho de ajuste fino.
A Microsemi Corporation surge como um contribuinte notável para as inovações tecnológicas, concentrando -se em grande parte nas indústrias aeroespaciais e de defesa.Eles são especializados na criação de circuitos integrados de sinal misto de alto desempenho, ferramentas eficientes de gerenciamento de energia e soluções de RF confiáveis.Esses componentes ajudam a garantir que os sistemas operem sob condições rigorosas, promovendo avanços.
As sofisticadas ferramentas sofisticadas de gerenciamento de energia da Microsemi atendem às demandas ativas de eficiência energética.Eles aumentam o consumo de energia, mantendo o desempenho - um equilíbrio delicado, especialmente nas tecnologias de defesa onde o acesso ao poder pode influenciar os resultados operacionais.Como refletido nas tendências da indústria, o uso eficiente de energia está crescendo em importância para o desenvolvimento tecnológico sustentável.
O 2N2218 é criado para se destacar em cenários de troca rápida, lidando com correntes de coletores de até 500 mA com uma eficiência notável no ganho atual.Muitas vezes, é escolhido para circuitos que precisam de transições rápidas, tornando -o valioso na geração de pulsos e na troca de reguladores.Sua incorporação perfeita em diversos projetos eletrônicos freqüentemente destaca sua adaptabilidade e desempenho confiável.
Operando tipicamente a uma tensão de coletor-emissor de cerca de 28V, o 2N2218 garante funcionalidade estável em várias aplicações.O uso adequado dentro desses limites de tensão revela sua resiliência e eficácia.Essa qualidade se torna aparente para você durante as fases de prototipagem e teste, ganhando um aceno silencioso de aprovação para sua confiabilidade.
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