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CasaProdutosProdutos semicondutores discretosTransistores - FETs, MOSFETs - SingleIRF6215L-103PBF
Infineon Technologies
A imagem é apenas para referência. Por favor, consulte as especificações para detalhes do produto.

IRF6215L-103PBF - Infineon Technologies

Fabricante Modelo do Produto
IRF6215L-103PBF
Fabricante
Infineon Technologies
Allelco Modelo do Produto
32D-IRF6215L-103PBF
Modelo ECAD
Descrição das peças
MOSFET P-CH 150V 13A TO262
Descrição detalhada
Embalagem
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Ficha de dados
IRF6215L-103PBF.pdf
Disponível: 5210

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Quantidade

Especificações

Especificações técnicas IRF6215L-103PBF
Infineon Technologies - IRF6215L-103PBF Especificações técnicas, atributos, parâmetros e peças com especificações semelhantes ao Infineon Technologies - IRF6215L-103PBF

Atributo do Produto Valor do Atributo  
Fabricante Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Embalagem do dispositivo fornecedor TO-262  
Série HEXFET®  
RDS ON (Max) @ Id, VGS 290mOhm @ 6.6A, 10V  
Dissipação de energia (Max) 3.8W (Ta), 110W (Tc)  
Caixa / Gabinete TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA  
Pacote Tube  
Atributo do Produto Valor do Atributo  
Temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo de montagem Through Hole  
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 860 pF @ 25 V  
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 66 nC @ 10 V  
Tipo FET P-Channel  
Característica FET -  
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 10V  
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 150 V  
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 13A (Tc)  

Peças com especificações semelhantes

As três partes à direita têm especificações semelhantes ao Infineon Technologies IRF6215L-103PBF

Atributo do Produto IRF6215L-103PBF IRF6215L IRF620STRLPBF IRF6215STRLPBF
Modelo do Produto IRF6215L-103PBF IRF6215L IRF620STRLPBF IRF6215STRLPBF
Fabricante Infineon Technologies Infineon Technologies Vishay Siliconix Infineon Technologies
Característica FET - - - -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Pacote Tube Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 13A (Tc) 13A (Tc) 5.2A (Tc) 13A (Tc)
Temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 10V 10V 10V 10V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 66 nC @ 10 V 66 nC @ 10 V 14 nC @ 10 V 66 nC @ 10 V
Caixa / Gabinete TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dissipação de energia (Max) 3.8W (Ta), 110W (Tc) 3.8W (Ta), 110W (Tc) 3W (Ta), 50W (Tc) 3.8W (Ta), 110W (Tc)
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 860 pF @ 25 V 860 pF @ 25 V 260 pF @ 25 V 860 pF @ 25 V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tipo de montagem Through Hole Through Hole Surface Mount Surface Mount
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 150 V 150 V 200 V 150 V
Série HEXFET® HEXFET® - HEXFET®
Tipo FET P-Channel P-Channel N-Channel P-Channel
RDS ON (Max) @ Id, VGS 290mOhm @ 6.6A, 10V 290mOhm @ 6.6A, 10V 800mOhm @ 3.1A, 10V 290mOhm @ 6.6A, 10V
Embalagem do dispositivo fornecedor TO-262 TO-262 D2PAK D2PAK

IRF6215L-103PBF PDF da folha de dados

Faça o download do IRF6215L-103PBF PDF Datahets e Infineon Technologies Documentation para IRF6215L-103PBF - Infineon Technologies.

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Custo de entrega

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Região País Hora logística (dia)
América Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemanha 5
Reino Unido 4
Itália 5
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Nova Zelândia 5
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Japão 4
Médio Oriente Israel 6
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Taxas de remessa (kg) Referência DHL (USD $)
0,00kg-1,00kg USD $ 30,00 - USD $ 60,00
1,00kg-2.00kg USD $ 40,00 - USD $ 80,00
2,00kg-3,00 kg US $ 50,00 - USD $ 100,00
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