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CasaProdutosProdutos semicondutores discretosTransistores - FETs, MOSFETs - SingleIRF6215PBF
IRF6215PBF Image
A imagem é apenas para referência. Por favor, consulte as especificações para detalhes do produto.

IRF6215PBF - Infineon Technologies

Fabricante Modelo do Produto
IRF6215PBF
Fabricante
Infineon Technologies
Allelco Modelo do Produto
32D-IRF6215PBF
Modelo ECAD
Descrição das peças
MOSFET P-CH 150V 13A TO220AB
Descrição detalhada
Embalagem
TO-220-3
Ficha de dados
IRF6215PBF.pdf
Estado de RoHS
Disponível: 4180

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Quantidade

Especificações

Especificações técnicas IRF6215PBF
Infineon Technologies - IRF6215PBF Especificações técnicas, atributos, parâmetros e peças com especificações semelhantes ao Infineon Technologies - IRF6215PBF

Atributo do Produto Valor do Atributo  
Fabricante Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Embalagem do dispositivo fornecedor TO-220AB  
Série HEXFET®  
RDS ON (Max) @ Id, VGS 290mOhm @ 6.6A, 10V  
Dissipação de energia (Max) 110W (Tc)  
Caixa / Gabinete TO-220-3  
Pacote Tube  
Atributo do Produto Valor do Atributo  
Temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo de montagem Through Hole  
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 860 pF @ 25 V  
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 66 nC @ 10 V  
Tipo FET P-Channel  
Característica FET -  
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 10V  
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 150 V  
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 13A (Tc)  

Peças com especificações semelhantes

As três partes à direita têm especificações semelhantes ao Infineon Technologies IRF6215PBF

Atributo do Produto IRF6215PBF IRF6215STRLPBF IRF6215L IRF6215L-103PBF
Modelo do Produto IRF6215PBF IRF6215STRLPBF IRF6215L IRF6215L-103PBF
Fabricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Série HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 150 V 150 V 150 V 150 V
Dissipação de energia (Max) 110W (Tc) 3.8W (Ta), 110W (Tc) 3.8W (Ta), 110W (Tc) 3.8W (Ta), 110W (Tc)
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 10V 10V 10V 10V
Embalagem do dispositivo fornecedor TO-220AB D2PAK TO-262 TO-262
Característica FET - - - -
Temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 860 pF @ 25 V 860 pF @ 25 V 860 pF @ 25 V 860 pF @ 25 V
RDS ON (Max) @ Id, VGS 290mOhm @ 6.6A, 10V 290mOhm @ 6.6A, 10V 290mOhm @ 6.6A, 10V 290mOhm @ 6.6A, 10V
Caixa / Gabinete TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Pacote Tube Tape & Reel (TR) Tube Tube
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 13A (Tc) 13A (Tc) 13A (Tc) 13A (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 66 nC @ 10 V 66 nC @ 10 V 66 nC @ 10 V 66 nC @ 10 V
Tipo de montagem Through Hole Surface Mount Through Hole Through Hole
Tipo FET P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel

IRF6215PBF PDF da folha de dados

Faça o download do IRF6215PBF PDF Datahets e Infineon Technologies Documentation para IRF6215PBF - Infineon Technologies.

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Tipo de transporte

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Custo de entrega

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Referência de tempo logístico de países comuns
Região País Hora logística (dia)
América Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemanha 5
Reino Unido 4
Itália 5
Oceânia Austrália 6
Nova Zelândia 5
Ásia Índia 4
Japão 4
Médio Oriente Israel 6
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Taxas de remessa (kg) Referência DHL (USD $)
0,00kg-1,00kg USD $ 30,00 - USD $ 60,00
1,00kg-2.00kg USD $ 40,00 - USD $ 80,00
2,00kg-3,00 kg US $ 50,00 - USD $ 100,00
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