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CasaProdutosProdutos semicondutores discretosTransistores - FETs, MOSFETs - SingleIRFB4710PBF
IRFB4710PBF Image
A imagem é apenas para referência. Por favor, consulte as especificações para detalhes do produto.

IRFB4710PBF - Infineon Technologies

Fabricante Modelo do Produto
IRFB4710PBF
Fabricante
Infineon Technologies
Allelco Modelo do Produto
32D-IRFB4710PBF
Modelo ECAD
Descrição das peças
MOSFET N-CH 100V 75A TO220AB
Descrição detalhada
Embalagem
TO-220-3
Ficha de dados
IRFB4710PBF.pdf
Estado de RoHS
Disponível: 26637

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Quantidade

Especificações

Especificações técnicas IRFB4710PBF
Infineon Technologies - IRFB4710PBF Especificações técnicas, atributos, parâmetros e peças com especificações semelhantes ao Infineon Technologies - IRFB4710PBF

Atributo do Produto Valor do Atributo  
Fabricante Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 5.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Embalagem do dispositivo fornecedor TO-220AB  
Série HEXFET®  
RDS ON (Max) @ Id, VGS 14mOhm @ 45A, 10V  
Dissipação de energia (Max) 3.8W (Ta), 200W (Tc)  
Caixa / Gabinete TO-220-3  
Pacote Tube  
Atributo do Produto Valor do Atributo  
Temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo de montagem Through Hole  
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 6160 pF @ 25 V  
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 170 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica FET -  
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 10V  
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 100 V  
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 75A (Tc)  
Número do produto base IRFB4710  

Peças com especificações semelhantes

As três partes à direita têm especificações semelhantes ao Infineon Technologies IRFB4710PBF

Atributo do Produto IRFB4710PBF IRFB5615PBF IRFB52N15DPBF IRFB4620PBF
Modelo do Produto IRFB4710PBF IRFB5615PBF IRFB52N15DPBF IRFB4620PBF
Fabricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Dissipação de energia (Max) 3.8W (Ta), 200W (Tc) 144W (Tc) 3.8W (Ta), 230W (Tc) 144W (Tc)
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 100 V 150 V 150 V 200 V
RDS ON (Max) @ Id, VGS 14mOhm @ 45A, 10V 39mOhm @ 21A, 10V 32mOhm @ 36A, 10V 72.5mOhm @ 15A, 10V
Número do produto base IRFB4710 IRFB5615 IRFB52 IRFB4620
Embalagem do dispositivo fornecedor TO-220AB TO-220AB TO-220AB TO-220AB
Tipo de montagem Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
VGS (th) (Max) @ Id 5.5V @ 250µA 5V @ 100µA 5V @ 250µA 5V @ 100µA
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 75A (Tc) 35A (Tc) 51A (Tc) 25A (Tc)
Série HEXFET® - HEXFET® HEXFET®
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Pacote Tube Tube Tube Tube
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 10V 10V 10V 10V
Caixa / Gabinete TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Característica FET - - - -
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 170 nC @ 10 V 40 nC @ 10 V 89 nC @ 10 V 38 nC @ 10 V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 6160 pF @ 25 V 1750 pF @ 50 V 2770 pF @ 25 V 1710 pF @ 50 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±30V ±20V
Temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)

IRFB4710PBF PDF da folha de dados

Faça o download do IRFB4710PBF PDF Datahets e Infineon Technologies Documentation para IRFB4710PBF - Infineon Technologies.

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Tipo de transporte

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Custo de entrega

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Método de entrega

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Referência de tempo logístico de países comuns
Região País Hora logística (dia)
América Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemanha 5
Reino Unido 4
Itália 5
Oceânia Austrália 6
Nova Zelândia 5
Ásia Índia 4
Japão 4
Médio Oriente Israel 6
Referência de cobranças de remessa DHL e FedEx
Taxas de remessa (kg) Referência DHL (USD $)
0,00kg-1,00kg USD $ 30,00 - USD $ 60,00
1,00kg-2.00kg USD $ 40,00 - USD $ 80,00
2,00kg-3,00 kg US $ 50,00 - USD $ 100,00
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