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CasaProdutosProdutos semicondutores discretosTransistores - FETs, MOSFETs - SingleIRFB52N15DPBF
IRFB52N15DPBF Image
A imagem é apenas para referência. Por favor, consulte as especificações para detalhes do produto.

IRFB52N15DPBF - Infineon Technologies

Fabricante Modelo do Produto
IRFB52N15DPBF
Fabricante
Infineon Technologies
Allelco Modelo do Produto
32D-IRFB52N15DPBF
Modelo ECAD
Descrição das peças
MOSFET N-CH 150V 51A TO220AB
Descrição detalhada
Embalagem
TO-220-3
Ficha de dados
IRFB52N15DPBF.pdf
Estado de RoHS
Disponível: 22563

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Quantidade

Especificações

Especificações técnicas IRFB52N15DPBF
Infineon Technologies - IRFB52N15DPBF Especificações técnicas, atributos, parâmetros e peças com especificações semelhantes ao Infineon Technologies - IRFB52N15DPBF

Atributo do Produto Valor do Atributo  
Fabricante Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Embalagem do dispositivo fornecedor TO-220AB  
Série HEXFET®  
RDS ON (Max) @ Id, VGS 32mOhm @ 36A, 10V  
Dissipação de energia (Max) 3.8W (Ta), 230W (Tc)  
Caixa / Gabinete TO-220-3  
Pacote Tube  
Atributo do Produto Valor do Atributo  
Temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo de montagem Through Hole  
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 2770 pF @ 25 V  
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 89 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica FET -  
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 10V  
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 150 V  
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 51A (Tc)  
Número do produto base IRFB52  

Peças com especificações semelhantes

As três partes à direita têm especificações semelhantes ao Infineon Technologies IRFB52N15DPBF

Atributo do Produto IRFB52N15DPBF IRFB4620PBF IRFB5620PBF IRFB4710PBF
Modelo do Produto IRFB52N15DPBF IRFB4620PBF IRFB5620PBF IRFB4710PBF
Fabricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Caixa / Gabinete TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Tipo de montagem Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Dissipação de energia (Max) 3.8W (Ta), 230W (Tc) 144W (Tc) 144W (Tc) 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Característica FET - - - -
Vgs (Max) ±30V ±20V ±20V ±20V
RDS ON (Max) @ Id, VGS 32mOhm @ 36A, 10V 72.5mOhm @ 15A, 10V 72.5mOhm @ 15A, 10V 14mOhm @ 45A, 10V
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 10V 10V 10V 10V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 89 nC @ 10 V 38 nC @ 10 V 38 nC @ 10 V 170 nC @ 10 V
Pacote Tube Tube Tube Tube
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 51A (Tc) 25A (Tc) 25A (Tc) 75A (Tc)
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 150 V 200 V 200 V 100 V
Série HEXFET® HEXFET® - HEXFET®
Número do produto base IRFB52 IRFB4620 IRFB5620 IRFB4710
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 5V @ 100µA 5V @ 100µA 5.5V @ 250µA
Temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Embalagem do dispositivo fornecedor TO-220AB TO-220AB TO-220AB TO-220AB
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 2770 pF @ 25 V 1710 pF @ 50 V 1710 pF @ 50 V 6160 pF @ 25 V

IRFB52N15DPBF PDF da folha de dados

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Tipo de transporte

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Custo de entrega

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Método de entrega

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Referência de tempo logístico de países comuns
Região País Hora logística (dia)
América Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemanha 5
Reino Unido 4
Itália 5
Oceânia Austrália 6
Nova Zelândia 5
Ásia Índia 4
Japão 4
Médio Oriente Israel 6
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Taxas de remessa (kg) Referência DHL (USD $)
0,00kg-1,00kg USD $ 30,00 - USD $ 60,00
1,00kg-2.00kg USD $ 40,00 - USD $ 80,00
2,00kg-3,00 kg US $ 50,00 - USD $ 100,00
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