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CasaProdutosProdutos semicondutores discretosTransistores - FETs, MOSFETs - SingleIRFB7434PBF
IRFB7434PBF Image
A imagem é apenas para referência. Por favor, consulte as especificações para detalhes do produto.

IRFB7434PBF - Infineon Technologies

Fabricante Modelo do Produto
IRFB7434PBF
Fabricante
Infineon Technologies
Allelco Modelo do Produto
32D-IRFB7434PBF
Modelo ECAD
Descrição das peças
MOSFET N-CH 40V 195A TO220AB
Descrição detalhada
Embalagem
TO-220-3
Ficha de dados
IRFB7434PBF.pdf
Estado de RoHS
Disponível: 40418

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Quantidade

Especificações

Especificações técnicas IRFB7434PBF
Infineon Technologies - IRFB7434PBF Especificações técnicas, atributos, parâmetros e peças com especificações semelhantes ao Infineon Technologies - IRFB7434PBF

Atributo do Produto Valor do Atributo  
Fabricante Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 3.9V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Embalagem do dispositivo fornecedor TO-220AB  
Série HEXFET®, StrongIRFET™  
RDS ON (Max) @ Id, VGS 1.6mOhm @ 100A, 10V  
Dissipação de energia (Max) 294W (Tc)  
Caixa / Gabinete TO-220-3  
Pacote Tube  
Atributo do Produto Valor do Atributo  
Temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo de montagem Through Hole  
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 10820 pF @ 25 V  
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 324 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica FET -  
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 6V, 10V  
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 40 V  
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 195A (Tc)  
Número do produto base IRFB7434  

Peças com especificações semelhantes

As três partes à direita têm especificações semelhantes ao Infineon Technologies IRFB7434PBF

Atributo do Produto IRFB7434PBF IRFB7437PBF IRFB7446GPBF IRFB7440PBF
Modelo do Produto IRFB7434PBF IRFB7437PBF IRFB7446GPBF IRFB7440PBF
Fabricante Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies
Pacote Tube Tube Bulk Tube
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 324 nC @ 10 V 225 nC @ 10 V 93 nC @ 10 V 135 nC @ 10 V
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 40 V 40 V 40 V 40 V
Tipo de montagem Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Dissipação de energia (Max) 294W (Tc) 230W (Tc) 99W (Tc) 143W (Tc)
Número do produto base IRFB7434 IRFB7437 - IRFB7440
Série HEXFET®, StrongIRFET™ HEXFET®, StrongIRFET™ HEXFET®, StrongIRFET™ HEXFET®, StrongIRFET™
Temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) - -55°C ~ 175°C (TJ)
Caixa / Gabinete TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 6V, 10V 6V, 10V 6V, 10V 6V, 10V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 195A (Tc) 195A (Tc) 120A (Tc) 120A (Tc)
Embalagem do dispositivo fornecedor TO-220AB TO-220AB TO-220AB TO-220AB
RDS ON (Max) @ Id, VGS 1.6mOhm @ 100A, 10V 2mOhm @ 100A, 10V 3.3mOhm @ 70A, 10V 2.5mOhm @ 100A, 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 10820 pF @ 25 V 7330 pF @ 25 V 3183 pF @ 25 V 4730 pF @ 25 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Característica FET - - - -
VGS (th) (Max) @ Id 3.9V @ 250µA 3.9V @ 150µA 3.9V @ 100µA 3.9V @ 100µA

IRFB7434PBF PDF da folha de dados

Faça o download do IRFB7434PBF PDF Datahets e Infineon Technologies Documentation para IRFB7434PBF - Infineon Technologies.

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Tipo de transporte

Prazo de entrega

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Custo de entrega

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  2. Use nossa conta para a remessa.Consulte a tabela abaixo para obter as cobranças aproximadas.
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Método de entrega

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Referência de tempo logístico de países comuns
Região País Hora logística (dia)
América Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemanha 5
Reino Unido 4
Itália 5
Oceânia Austrália 6
Nova Zelândia 5
Ásia Índia 4
Japão 4
Médio Oriente Israel 6
Referência de cobranças de remessa DHL e FedEx
Taxas de remessa (kg) Referência DHL (USD $)
0,00kg-1,00kg USD $ 30,00 - USD $ 60,00
1,00kg-2.00kg USD $ 40,00 - USD $ 80,00
2,00kg-3,00 kg US $ 50,00 - USD $ 100,00
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