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CasaProdutosProdutos semicondutores discretosTransistores - FETs, MOSFETs - SingleIRFB7437PBF
IRFB7437PBF Image
A imagem é apenas para referência. Por favor, consulte as especificações para detalhes do produto.

IRFB7437PBF - Infineon Technologies

Fabricante Modelo do Produto
IRFB7437PBF
Fabricante
Infineon Technologies
Allelco Modelo do Produto
32D-IRFB7437PBF
Modelo ECAD
Descrição das peças
MOSFET N-CH 40V 195A TO220AB
Descrição detalhada
Embalagem
TO-220-3
Ficha de dados
IRFB7437PBF.pdf
Estado de RoHS
Disponível: 46390

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Quantidade

Especificações

Especificações técnicas IRFB7437PBF
Infineon Technologies - IRFB7437PBF Especificações técnicas, atributos, parâmetros e peças com especificações semelhantes ao Infineon Technologies - IRFB7437PBF

Atributo do Produto Valor do Atributo  
Fabricante Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 3.9V @ 150µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Embalagem do dispositivo fornecedor TO-220AB  
Série HEXFET®, StrongIRFET™  
RDS ON (Max) @ Id, VGS 2mOhm @ 100A, 10V  
Dissipação de energia (Max) 230W (Tc)  
Caixa / Gabinete TO-220-3  
Pacote Tube  
Atributo do Produto Valor do Atributo  
Temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo de montagem Through Hole  
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 7330 pF @ 25 V  
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 225 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica FET -  
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 6V, 10V  
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 40 V  
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 195A (Tc)  
Número do produto base IRFB7437  

Peças com especificações semelhantes

As três partes à direita têm especificações semelhantes ao Infineon Technologies IRFB7437PBF

Atributo do Produto IRFB7437PBF IRFB7446GPBF IRFB7530PBF IRFB7430PBF
Modelo do Produto IRFB7437PBF IRFB7446GPBF IRFB7530PBF IRFB7430PBF
Fabricante Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies Infineon Technologies
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 6V, 10V 6V, 10V 6V, 10V 6V, 10V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor TO-220AB TO-220AB TO-220AB TO-220AB
VGS (th) (Max) @ Id 3.9V @ 150µA 3.9V @ 100µA 3.7V @ 250µA 3.9V @ 250µA
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tipo de montagem Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
RDS ON (Max) @ Id, VGS 2mOhm @ 100A, 10V 3.3mOhm @ 70A, 10V 2mOhm @ 100A, 10V 1.3mOhm @ 100A, 10V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 225 nC @ 10 V 93 nC @ 10 V 411 nC @ 10 V 460 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Número do produto base IRFB7437 - IRFB7530 IRFB7430
Caixa / Gabinete TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Série HEXFET®, StrongIRFET™ HEXFET®, StrongIRFET™ HEXFET®, StrongIRFET™ HEXFET®, StrongIRFET™
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 7330 pF @ 25 V 3183 pF @ 25 V 13703 pF @ 25 V 14240 pF @ 25 V
Temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ) - -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Pacote Tube Bulk Tube Tube
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 195A (Tc) 120A (Tc) 195A (Tc) 195A (Tc)
Dissipação de energia (Max) 230W (Tc) 99W (Tc) 375W (Tc) 375W (Tc)
Característica FET - - - -
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 40 V 40 V 60 V 40 V

IRFB7437PBF PDF da folha de dados

Faça o download do IRFB7437PBF PDF Datahets e Infineon Technologies Documentation para IRFB7437PBF - Infineon Technologies.

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Tipo de transporte

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Custo de entrega

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Método de entrega

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Referência de tempo logístico de países comuns
Região País Hora logística (dia)
América Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemanha 5
Reino Unido 4
Itália 5
Oceânia Austrália 6
Nova Zelândia 5
Ásia Índia 4
Japão 4
Médio Oriente Israel 6
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Taxas de remessa (kg) Referência DHL (USD $)
0,00kg-1,00kg USD $ 30,00 - USD $ 60,00
1,00kg-2.00kg USD $ 40,00 - USD $ 80,00
2,00kg-3,00 kg US $ 50,00 - USD $ 100,00
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