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CasaProdutosProdutos semicondutores discretosTransistores - FETs, MOSFETs - SingleIRL6342TRPBF
IRL6342TRPBF Image
A imagem é apenas para referência. Por favor, consulte as especificações para detalhes do produto.

IRL6342TRPBF - Infineon Technologies

Fabricante Modelo do Produto
IRL6342TRPBF
Fabricante
Infineon Technologies
Allelco Modelo do Produto
32D-IRL6342TRPBF
Modelo ECAD
Descrição das peças
MOSFET N-CH 30V 9.9A 8SO
Descrição detalhada
Embalagem
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Ficha de dados
IRL6342TRPBF.pdf
Estado de RoHS
Disponível: 209660

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Quantidade

Especificações

Especificações técnicas IRL6342TRPBF
Infineon Technologies - IRL6342TRPBF Especificações técnicas, atributos, parâmetros e peças com especificações semelhantes ao Infineon Technologies - IRL6342TRPBF

Atributo do Produto Valor do Atributo  
Fabricante Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 1.1V @ 10µA  
Vgs (Max) ±12V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Embalagem do dispositivo fornecedor 8-SO  
Série HEXFET®  
RDS ON (Max) @ Id, VGS 14.6mOhm @ 9.9A, 4.5V  
Dissipação de energia (Max) 2.5W (Ta)  
Caixa / Gabinete 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Pacote Tape & Reel (TR)  
Atributo do Produto Valor do Atributo  
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo de montagem Surface Mount  
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1025 pF @ 25 V  
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 11 nC @ 4.5 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica FET -  
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 2.5V, 4.5V  
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 30 V  
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 9.9A (Ta)  
Número do produto base IRL6342  

Peças com especificações semelhantes

As três partes à direita têm especificações semelhantes ao Infineon Technologies IRL6342TRPBF

Atributo do Produto IRL6342TRPBF IRL630STRRPBF IRL640PBF IRL6342PBF
Modelo do Produto IRL6342TRPBF IRL630STRRPBF IRL640PBF IRL6342PBF
Fabricante Infineon Technologies Vishay Siliconix Vishay Siliconix Infineon Technologies
VGS (th) (Max) @ Id 1.1V @ 10µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA 1.1V @ 10µA
Pacote Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube Tube
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (Max) ±12V ±10V ±10V ±12V
Dissipação de energia (Max) 2.5W (Ta) 3.1W (Ta), 74W (Tc) 125W (Tc) 2.5W (Ta)
Caixa / Gabinete 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 11 nC @ 4.5 V 40 nC @ 10 V 66 nC @ 5 V 11 nC @ 4.5 V
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 2.5V, 4.5V 4V, 5V 4V, 5V 2.5V, 4.5V
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 30 V 200 V 200 V 30 V
RDS ON (Max) @ Id, VGS 14.6mOhm @ 9.9A, 4.5V 400mOhm @ 5.4A, 5V 180mOhm @ 10A, 5V 14.6mOhm @ 9.9A, 4.5V
Série HEXFET® - - HEXFET®
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Característica FET - - - -
Número do produto base IRL6342 IRL630 IRL640 -
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount Through Hole Surface Mount
Embalagem do dispositivo fornecedor 8-SO D²PAK (TO-263) TO-220AB 8-SO
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1025 pF @ 25 V 1100 pF @ 25 V 1800 pF @ 25 V 1025 pF @ 25 V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 9.9A (Ta) 9A (Tc) 17A (Tc) 9.9A (Ta)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

IRL6342TRPBF PDF da folha de dados

Faça o download do IRL6342TRPBF PDF Datahets e Infineon Technologies Documentation para IRL6342TRPBF - Infineon Technologies.

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Tipo de transporte

Prazo de entrega

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Custo de entrega

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Método de entrega

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Referência de tempo logístico de países comuns
Região País Hora logística (dia)
América Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemanha 5
Reino Unido 4
Itália 5
Oceânia Austrália 6
Nova Zelândia 5
Ásia Índia 4
Japão 4
Médio Oriente Israel 6
Referência de cobranças de remessa DHL e FedEx
Taxas de remessa (kg) Referência DHL (USD $)
0,00kg-1,00kg USD $ 30,00 - USD $ 60,00
1,00kg-2.00kg USD $ 40,00 - USD $ 80,00
2,00kg-3,00 kg US $ 50,00 - USD $ 100,00
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