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CasaProdutosProdutos semicondutores discretosTransistores - FETs, MOSFETs - SingleIRL640PBF
Vishay Siliconix
A imagem é apenas para referência. Por favor, consulte as especificações para detalhes do produto.

IRL640PBF - Vishay Siliconix

Fabricante Modelo do Produto
IRL640PBF
Fabricante
Vishay / Siliconix
Allelco Modelo do Produto
32D-IRL640PBF
Modelo ECAD
Descrição das peças
MOSFET N-CH 200V 17A TO220AB
Descrição detalhada
Embalagem
TO-220-3
Ficha de dados
IRL640PBF.pdf
Estado de RoHS
Disponível: 30036

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Quantidade

Especificações

Especificações técnicas IRL640PBF
Vishay Siliconix - IRL640PBF Especificações técnicas, atributos, parâmetros e peças com especificações semelhantes ao Vishay Siliconix - IRL640PBF

Atributo do Produto Valor do Atributo  
Fabricante Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±10V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Embalagem do dispositivo fornecedor TO-220AB  
Série -  
RDS ON (Max) @ Id, VGS 180mOhm @ 10A, 5V  
Dissipação de energia (Max) 125W (Tc)  
Caixa / Gabinete TO-220-3  
Pacote Tube  
Atributo do Produto Valor do Atributo  
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo de montagem Through Hole  
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1800 pF @ 25 V  
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 66 nC @ 5 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica FET -  
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 4V, 5V  
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 200 V  
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 17A (Tc)  
Número do produto base IRL640  

Peças com especificações semelhantes

As três partes à direita têm especificações semelhantes ao Vishay Siliconix IRL640PBF

Atributo do Produto IRL640PBF IRL7472L1TRPBF IRL640STRLPBF IRL6342TRPBF
Modelo do Produto IRL640PBF IRL7472L1TRPBF IRL640STRLPBF IRL6342TRPBF
Fabricante Vishay Siliconix Infineon Technologies Vishay Siliconix Infineon Technologies
Embalagem do dispositivo fornecedor TO-220AB DirectFET™ Isometric L8 D²PAK (TO-263) 8-SO
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 66 nC @ 5 V 330 nC @ 4.5 V 66 nC @ 5 V 11 nC @ 4.5 V
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Caixa / Gabinete TO-220-3 DirectFET™ Isometric L8 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 17A (Tc) 375A (Tc) 17A (Tc) 9.9A (Ta)
Série - StrongIRFET™ - HEXFET®
Número do produto base IRL640 IRL7472 IRL640 IRL6342
Característica FET - - - -
Pacote Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RDS ON (Max) @ Id, VGS 180mOhm @ 10A, 5V 0.59mOhm @ 195A, 10V 180mOhm @ 10A, 5V 14.6mOhm @ 9.9A, 4.5V
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA 2.5V @ 250µA 2V @ 250µA 1.1V @ 10µA
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±10V ±20V ±10V ±12V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1800 pF @ 25 V 20082 pF @ 25 V 1800 pF @ 25 V 1025 pF @ 25 V
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 4V, 5V 4.5V, 10V 4V, 5V 2.5V, 4.5V
Tipo de montagem Through Hole Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Dissipação de energia (Max) 125W (Tc) 3.8W (Ta), 341W (Tc) 3.1W (Ta), 125W (Tc) 2.5W (Ta)
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 200 V 40 V 200 V 30 V

IRL640PBF PDF da folha de dados

Faça o download do IRL640PBF PDF Datahets e Vishay Siliconix Documentation para IRL640PBF - Vishay Siliconix.

Outros documentos relacionados
Packaging Information.pdf
Design/especificação PCN
Mult Dev Material Chg 30/Aug/2019.pdf

Tipo de transporte

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Custo de entrega

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(Diferentes times de tempo / países / pacote têm preço diferente.)

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Referência de tempo logístico de países comuns
Região País Hora logística (dia)
América Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemanha 5
Reino Unido 4
Itália 5
Oceânia Austrália 6
Nova Zelândia 5
Ásia Índia 4
Japão 4
Médio Oriente Israel 6
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Taxas de remessa (kg) Referência DHL (USD $)
0,00kg-1,00kg USD $ 30,00 - USD $ 60,00
1,00kg-2.00kg USD $ 40,00 - USD $ 80,00
2,00kg-3,00 kg US $ 50,00 - USD $ 100,00
Observação:
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