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CasaProdutosProdutos semicondutores discretosTransistores - FETs, MOSFETs - SingleRRQ020P03TCR
Rohm Semiconductor
A imagem é apenas para referência. Por favor, consulte as especificações para detalhes do produto.

RRQ020P03TCR - Rohm Semiconductor

Fabricante Modelo do Produto
RRQ020P03TCR
Fabricante
LAPIS Technology
Allelco Modelo do Produto
32D-RRQ020P03TCR
Modelo ECAD
Descrição das peças
MOSFET P-CH 30V 2A TSMT6
Descrição detalhada
Embalagem
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Ficha de dados
RRQ020P03TCR.pdf
Estado de RoHS
Disponível: 236990

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Quantidade

Especificações

Especificações técnicas RRQ020P03TCR
Rohm Semiconductor - RRQ020P03TCR Especificações técnicas, atributos, parâmetros e peças com especificações semelhantes ao Rohm Semiconductor - RRQ020P03TCR

Atributo do Produto Valor do Atributo  
Fabricante LAPIS Technology  
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Embalagem do dispositivo fornecedor TSMT6 (SC-95)  
Série -  
RDS ON (Max) @ Id, VGS 160mOhm @ 2A, 10V  
Dissipação de energia (Max) 1.25W (Ta)  
Caixa / Gabinete SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6  
Pacote Tape & Reel (TR)  
Atributo do Produto Valor do Atributo  
Temperatura de operação 150°C (TJ)  
Tipo de montagem Surface Mount  
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 230 pF @ 10 V  
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 3.2 nC @ 5 V  
Tipo FET P-Channel  
Característica FET -  
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 4V, 10V  
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 30 V  
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 2A (Ta)  
Número do produto base RRQ020  

Peças com especificações semelhantes

As três partes à direita têm especificações semelhantes ao Rohm Semiconductor RRQ020P03TCR

Atributo do Produto RRQ020P03TCR HAT2169H-EL-E FDP040N06 RRQ045P03TR
Modelo do Produto RRQ020P03TCR HAT2169H-EL-E FDP040N06 RRQ045P03TR
Fabricante Rohm Semiconductor Renesas Electronics America Inc onsemi Rohm Semiconductor
Dissipação de energia (Max) 1.25W (Ta) 30W (Tc) 231W (Tc) 600mW (Ta)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Característica FET - - - -
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 30 V 40 V 60 V 30 V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 230 pF @ 10 V 6650 pF @ 10 V 8235 pF @ 25 V 1350 pF @ 10 V
Pacote Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)
Temperatura de operação 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) 150°C (TJ)
Série - - PowerTrench® -
Embalagem do dispositivo fornecedor TSMT6 (SC-95) LFPAK TO-220-3 TSMT6 (SC-95)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 2A (Ta) 50A (Ta) 120A (Tc) 4.5A (Ta)
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 3.2 nC @ 5 V 45 nC @ 4.5 V 133 nC @ 10 V 14 nC @ 5 V
Número do produto base RRQ020 HAT2169 FDP040 RRQ045
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA 2.5V @ 1mA 4.5V @ 250µA 2.5V @ 1mA
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 4V, 10V 4.5V, 10V 10V 4V, 10V
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount Through Hole Surface Mount
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Caixa / Gabinete SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SC-100, SOT-669 TO-220-3 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Tipo FET P-Channel N-Channel N-Channel P-Channel
RDS ON (Max) @ Id, VGS 160mOhm @ 2A, 10V 3.5mOhm @ 25A, 10V 4mOhm @ 75A, 10V 35mOhm @ 4.5A, 10V

RRQ020P03TCR PDF da folha de dados

Faça o download do RRQ020P03TCR PDF Datahets e Rohm Semiconductor Documentation para RRQ020P03TCR - Rohm Semiconductor.

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Tipo de transporte

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Custo de entrega

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(Diferentes times de tempo / países / pacote têm preço diferente.)

Método de entrega

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Referência de tempo logístico de países comuns
Região País Hora logística (dia)
América Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemanha 5
Reino Unido 4
Itália 5
Oceânia Austrália 6
Nova Zelândia 5
Ásia Índia 4
Japão 4
Médio Oriente Israel 6
Referência de cobranças de remessa DHL e FedEx
Taxas de remessa (kg) Referência DHL (USD $)
0,00kg-1,00kg USD $ 30,00 - USD $ 60,00
1,00kg-2.00kg USD $ 40,00 - USD $ 80,00
2,00kg-3,00 kg US $ 50,00 - USD $ 100,00
Observação:
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