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CasaProdutosProdutos semicondutores discretosTransistores - FETs, MOSFETs - SingleRUF020N02TL
Rohm Semiconductor
A imagem é apenas para referência. Por favor, consulte as especificações para detalhes do produto.

RUF020N02TL - Rohm Semiconductor

Fabricante Modelo do Produto
RUF020N02TL
Fabricante
LAPIS Technology
Allelco Modelo do Produto
32D-RUF020N02TL
Modelo ECAD
Descrição das peças
MOSFET N-CH 20V 2A TUMT3
Descrição detalhada
Embalagem
3-SMD, Flat Leads
Ficha de dados
RUF020N02TL.pdf
Estado de RoHS
Disponível: 302020

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Quantidade

Especificações

Especificações técnicas RUF020N02TL
Rohm Semiconductor - RUF020N02TL Especificações técnicas, atributos, parâmetros e peças com especificações semelhantes ao Rohm Semiconductor - RUF020N02TL

Atributo do Produto Valor do Atributo  
Fabricante LAPIS Technology  
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 1mA  
Vgs (Max) ±10V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Embalagem do dispositivo fornecedor TUMT3  
Série -  
RDS ON (Max) @ Id, VGS 105mOhm @ 2A, 4.5V  
Dissipação de energia (Max) 320mW (Ta)  
Caixa / Gabinete 3-SMD, Flat Leads  
Pacote Tape & Reel (TR)  
Atributo do Produto Valor do Atributo  
Temperatura de operação 150°C (TJ)  
Tipo de montagem Surface Mount  
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 180 pF @ 10 V  
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 2 nC @ 4.5 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica FET -  
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 1.5V, 4.5V  
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 20 V  
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 2A (Ta)  
Número do produto base RUF020  

Peças com especificações semelhantes

As três partes à direita têm especificações semelhantes ao Rohm Semiconductor RUF020N02TL

Atributo do Produto RUF020N02TL RUF025N02TL IXTA1R6N50D2 SI4164DY-T1-GE3
Modelo do Produto RUF020N02TL RUF025N02TL IXTA1R6N50D2 SI4164DY-T1-GE3
Fabricante Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor IXYS Vishay Siliconix
Número do produto base RUF020 RUF025 IXTA1 SI4164
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 1mA 1.3V @ 1mA - 2.5V @ 250µA
Característica FET - - Depletion Mode -
Caixa / Gabinete 3-SMD, Flat Leads 3-SMD, Flat Leads TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 2 nC @ 4.5 V 5 nC @ 4.5 V 23.7 nC @ 5 V 95 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±10V ±10V ±20V ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 180 pF @ 10 V 370 pF @ 10 V 645 pF @ 25 V 3545 pF @ 15 V
Série - - Depletion TrenchFET®
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 1.5V, 4.5V 1.5V, 4.5V 10V 4.5V, 10V
Dissipação de energia (Max) 320mW (Ta) 320mW (Ta) 100W (Tc) 3W (Ta), 6W (Tc)
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 20 V 20 V 500 V 30 V
Pacote Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)
Embalagem do dispositivo fornecedor TUMT3 TUMT3 TO-263AA 8-SOIC
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 2A (Ta) 2.5A (Ta) 1.6A (Tc) 30A (Tc)
RDS ON (Max) @ Id, VGS 105mOhm @ 2A, 4.5V 54mOhm @ 2.5A, 4.5V 2.3Ohm @ 800mA, 0V 3.2mOhm @ 15A, 10V
Temperatura de operação 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

RUF020N02TL PDF da folha de dados

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Tipo de transporte

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Custo de entrega

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  2. Use nossa conta para a remessa.Consulte a tabela abaixo para obter as cobranças aproximadas.
(Diferentes times de tempo / países / pacote têm preço diferente.)

Método de entrega

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Referência de tempo logístico de países comuns
Região País Hora logística (dia)
América Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemanha 5
Reino Unido 4
Itália 5
Oceânia Austrália 6
Nova Zelândia 5
Ásia Índia 4
Japão 4
Médio Oriente Israel 6
Referência de cobranças de remessa DHL e FedEx
Taxas de remessa (kg) Referência DHL (USD $)
0,00kg-1,00kg USD $ 30,00 - USD $ 60,00
1,00kg-2.00kg USD $ 40,00 - USD $ 80,00
2,00kg-3,00 kg US $ 50,00 - USD $ 100,00
Observação:
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