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CasaProdutosProdutos semicondutores discretosTransistores - FETs, MOSFETs - SingleRUF025N02TL
Rohm Semiconductor
A imagem é apenas para referência. Por favor, consulte as especificações para detalhes do produto.

RUF025N02TL - Rohm Semiconductor

Fabricante Modelo do Produto
RUF025N02TL
Fabricante
LAPIS Technology
Allelco Modelo do Produto
32D-RUF025N02TL
Modelo ECAD
Descrição das peças
MOSFET N-CH 20V 2.5A TUMT3
Descrição detalhada
Embalagem
3-SMD, Flat Leads
Ficha de dados
RUF025N02TL.pdf
Estado de RoHS
Disponível: 152650

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Quantidade

Especificações

Especificações técnicas RUF025N02TL
Rohm Semiconductor - RUF025N02TL Especificações técnicas, atributos, parâmetros e peças com especificações semelhantes ao Rohm Semiconductor - RUF025N02TL

Atributo do Produto Valor do Atributo  
Fabricante LAPIS Technology  
VGS (th) (Max) @ Id 1.3V @ 1mA  
Vgs (Max) ±10V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Embalagem do dispositivo fornecedor TUMT3  
Série -  
RDS ON (Max) @ Id, VGS 54mOhm @ 2.5A, 4.5V  
Dissipação de energia (Max) 320mW (Ta)  
Caixa / Gabinete 3-SMD, Flat Leads  
Pacote Tape & Reel (TR)  
Atributo do Produto Valor do Atributo  
Temperatura de operação 150°C (TJ)  
Tipo de montagem Surface Mount  
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 370 pF @ 10 V  
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 5 nC @ 4.5 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica FET -  
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 1.5V, 4.5V  
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 20 V  
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 2.5A (Ta)  
Número do produto base RUF025  

Peças com especificações semelhantes

As três partes à direita têm especificações semelhantes ao Rohm Semiconductor RUF025N02TL

Atributo do Produto RUF025N02TL IRF7450 RUF020N02TL SI4104DY-T1-E3
Modelo do Produto RUF025N02TL IRF7450 RUF020N02TL SI4104DY-T1-E3
Fabricante Rohm Semiconductor Infineon Technologies Rohm Semiconductor Vishay Siliconix
Pacote Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Característica FET - - - -
Número do produto base RUF025 - RUF020 SI4104
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 20 V 200 V 20 V 100 V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 5 nC @ 4.5 V 39 nC @ 10 V 2 nC @ 4.5 V 13 nC @ 10 V
Caixa / Gabinete 3-SMD, Flat Leads 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 3-SMD, Flat Leads 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 1.5V, 4.5V 10V 1.5V, 4.5V 10V
Série - HEXFET® - TrenchFET®
Embalagem do dispositivo fornecedor TUMT3 8-SO TUMT3 8-SOIC
VGS (th) (Max) @ Id 1.3V @ 1mA 5.5V @ 250µA 1V @ 1mA 4.5V @ 250µA
RDS ON (Max) @ Id, VGS 54mOhm @ 2.5A, 4.5V 170mOhm @ 1.5A, 10V 105mOhm @ 2A, 4.5V 105mOhm @ 5A, 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 370 pF @ 10 V 940 pF @ 25 V 180 pF @ 10 V 446 pF @ 50 V
Temperatura de operação 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Dissipação de energia (Max) 320mW (Ta) 2.5W (Ta) 320mW (Ta) 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 2.5A (Ta) 2.5A (Ta) 2A (Ta) 4.6A (Tc)
Vgs (Max) ±10V ±30V ±10V ±20V

RUF025N02TL PDF da folha de dados

Faça o download do RUF025N02TL PDF Datahets e Rohm Semiconductor Documentation para RUF025N02TL - Rohm Semiconductor.

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Tipo de transporte

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Custo de entrega

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  2. Use nossa conta para a remessa.Consulte a tabela abaixo para obter as cobranças aproximadas.
(Diferentes times de tempo / países / pacote têm preço diferente.)

Método de entrega

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Referência de tempo logístico de países comuns
Região País Hora logística (dia)
América Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemanha 5
Reino Unido 4
Itália 5
Oceânia Austrália 6
Nova Zelândia 5
Ásia Índia 4
Japão 4
Médio Oriente Israel 6
Referência de cobranças de remessa DHL e FedEx
Taxas de remessa (kg) Referência DHL (USD $)
0,00kg-1,00kg USD $ 30,00 - USD $ 60,00
1,00kg-2.00kg USD $ 40,00 - USD $ 80,00
2,00kg-3,00 kg US $ 50,00 - USD $ 100,00
Observação:
A tabela acima é apenas para referência.Pode ter algum viés de dados para os fatores incontroláveis.
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