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CasaProdutosProdutos semicondutores discretosTransistores - FETs, MOSFETs - SingleIRFR9N20DPBF
IRFR9N20DPBF Image
A imagem é apenas para referência. Por favor, consulte as especificações para detalhes do produto.

IRFR9N20DPBF - Infineon Technologies

Fabricante Modelo do Produto
IRFR9N20DPBF
Fabricante
Infineon Technologies
Allelco Modelo do Produto
32D-IRFR9N20DPBF
Modelo ECAD
Descrição das peças
MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK
Descrição detalhada
Embalagem
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Ficha de dados
IRFR9N20DPBF.pdf
Estado de RoHS
Disponível: 4110

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Quantidade

Especificações

Especificações técnicas IRFR9N20DPBF
Infineon Technologies - IRFR9N20DPBF Especificações técnicas, atributos, parâmetros e peças com especificações semelhantes ao Infineon Technologies - IRFR9N20DPBF

Atributo do Produto Valor do Atributo  
Fabricante Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 5.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Embalagem do dispositivo fornecedor D-Pak  
Série HEXFET®  
RDS ON (Max) @ Id, VGS 380mOhm @ 5.6A, 10V  
Dissipação de energia (Max) 86W (Tc)  
Caixa / Gabinete TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Pacote Tube  
Atributo do Produto Valor do Atributo  
Temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo de montagem Surface Mount  
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 560 pF @ 25 V  
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 27 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica FET -  
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 10V  
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 200 V  
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 9.4A (Tc)  

Peças com especificações semelhantes

As três partes à direita têm especificações semelhantes ao Infineon Technologies IRFR9N20DPBF

Atributo do Produto IRFR9N20DPBF IRFRC20TR IRFR9310 IRFR9310PBF
Modelo do Produto IRFR9N20DPBF IRFRC20TR IRFR9310 IRFR9310PBF
Fabricante Infineon Technologies Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Pacote Tube Tape & Reel (TR) Tube Tube
Temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 10V 10V 10V 10V
Característica FET - - - -
Série HEXFET® - - -
Tipo FET N-Channel N-Channel P-Channel P-Channel
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 27 nC @ 10 V 18 nC @ 10 V 13 nC @ 10 V 13 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±30V ±20V ±20V ±20V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 9.4A (Tc) 2A (Tc) 1.8A (Tc) 1.8A (Tc)
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 200 V 600 V 400 V 400 V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 560 pF @ 25 V 350 pF @ 25 V 270 pF @ 25 V 270 pF @ 25 V
Caixa / Gabinete TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
VGS (th) (Max) @ Id 5.5V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
RDS ON (Max) @ Id, VGS 380mOhm @ 5.6A, 10V 4.4Ohm @ 1.2A, 10V 7Ohm @ 1.1A, 10V 7Ohm @ 1.1A, 10V
Embalagem do dispositivo fornecedor D-Pak D-Pak D-Pak D-Pak
Dissipação de energia (Max) 86W (Tc) 2.5W (Ta), 42W (Tc) 50W (Tc) 50W (Tc)

IRFR9N20DPBF PDF da folha de dados

Faça o download do IRFR9N20DPBF PDF Datahets e Infineon Technologies Documentation para IRFR9N20DPBF - Infineon Technologies.

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Tipo de transporte

Prazo de entrega

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Custo de entrega

  1. Use sua conta expressa para remessa se tiver uma.
  2. Use nossa conta para a remessa.Consulte a tabela abaixo para obter as cobranças aproximadas.
(Diferentes times de tempo / países / pacote têm preço diferente.)

Método de entrega

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Referência de tempo logístico de países comuns
Região País Hora logística (dia)
América Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemanha 5
Reino Unido 4
Itália 5
Oceânia Austrália 6
Nova Zelândia 5
Ásia Índia 4
Japão 4
Médio Oriente Israel 6
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Taxas de remessa (kg) Referência DHL (USD $)
0,00kg-1,00kg USD $ 30,00 - USD $ 60,00
1,00kg-2.00kg USD $ 40,00 - USD $ 80,00
2,00kg-3,00 kg US $ 50,00 - USD $ 100,00
Observação:
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