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CasaProdutosProdutos semicondutores discretosTransistores - FETs, MOSFETs - SingleIRFR9N20DTRPBF
IRFR9N20DTRPBF Image
A imagem é apenas para referência. Por favor, consulte as especificações para detalhes do produto.

IRFR9N20DTRPBF - Infineon Technologies

Fabricante Modelo do Produto
IRFR9N20DTRPBF
Fabricante
Infineon Technologies
Allelco Modelo do Produto
32D-IRFR9N20DTRPBF
Modelo ECAD
Descrição das peças
MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK
Descrição detalhada
Embalagem
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Ficha de dados
IRFR9N20DTRPBF.pdf
Estado de RoHS
Disponível: 4140

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Quantidade

Especificações

Especificações técnicas IRFR9N20DTRPBF
Infineon Technologies - IRFR9N20DTRPBF Especificações técnicas, atributos, parâmetros e peças com especificações semelhantes ao Infineon Technologies - IRFR9N20DTRPBF

Atributo do Produto Valor do Atributo  
Fabricante Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 5.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Embalagem do dispositivo fornecedor D-Pak  
Série HEXFET®  
RDS ON (Max) @ Id, VGS 380mOhm @ 5.6A, 10V  
Dissipação de energia (Max) 86W (Tc)  
Caixa / Gabinete TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Pacote Tape & Reel (TR)  
Atributo do Produto Valor do Atributo  
Temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo de montagem Surface Mount  
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 560 pF @ 25 V  
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 27 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica FET -  
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 10V  
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 200 V  
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 9.4A (Tc)  

Peças com especificações semelhantes

As três partes à direita têm especificações semelhantes ao Infineon Technologies IRFR9N20DTRPBF

Atributo do Produto IRFR9N20DTRPBF IRFRC20 IRFR9N20DPBF IRFRC20TRLPBF
Modelo do Produto IRFR9N20DTRPBF IRFRC20 IRFR9N20DPBF IRFRC20TRLPBF
Fabricante Infineon Technologies Vishay Siliconix Infineon Technologies Vishay Siliconix
Temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
RDS ON (Max) @ Id, VGS 380mOhm @ 5.6A, 10V 4.4Ohm @ 1.2A, 10V 380mOhm @ 5.6A, 10V 4.4Ohm @ 1.2A, 10V
Dissipação de energia (Max) 86W (Tc) 2.5W (Ta), 42W (Tc) 86W (Tc) 2.5W (Ta), 42W (Tc)
VGS (th) (Max) @ Id 5.5V @ 250µA 4V @ 250µA 5.5V @ 250µA 4V @ 250µA
Embalagem do dispositivo fornecedor D-Pak D-Pak D-Pak D-Pak
Pacote Tape & Reel (TR) Tube Tube Tape & Reel (TR)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 560 pF @ 25 V 350 pF @ 25 V 560 pF @ 25 V 350 pF @ 25 V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 27 nC @ 10 V 18 nC @ 10 V 27 nC @ 10 V 18 nC @ 10 V
Série HEXFET® - HEXFET® -
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 200 V 600 V 200 V 600 V
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Caixa / Gabinete TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (Max) ±30V ±20V ±30V ±20V
Característica FET - - - -
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 9.4A (Tc) 2A (Tc) 9.4A (Tc) 2A (Tc)
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 10V 10V 10V 10V

IRFR9N20DTRPBF PDF da folha de dados

Faça o download do IRFR9N20DTRPBF PDF Datahets e Infineon Technologies Documentation para IRFR9N20DTRPBF - Infineon Technologies.

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Tipo de transporte

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Referência de tempo logístico de países comuns
Região País Hora logística (dia)
América Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemanha 5
Reino Unido 4
Itália 5
Oceânia Austrália 6
Nova Zelândia 5
Ásia Índia 4
Japão 4
Médio Oriente Israel 6
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Taxas de remessa (kg) Referência DHL (USD $)
0,00kg-1,00kg USD $ 30,00 - USD $ 60,00
1,00kg-2.00kg USD $ 40,00 - USD $ 80,00
2,00kg-3,00 kg US $ 50,00 - USD $ 100,00
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