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CasaProdutosProdutos semicondutores discretosTransistores - FETs, MOSFETs - SingleIRFR9N20DTRLPBF
IRFR9N20DTRLPBF Image
A imagem é apenas para referência. Por favor, consulte as especificações para detalhes do produto.

IRFR9N20DTRLPBF - Infineon Technologies

Fabricante Modelo do Produto
IRFR9N20DTRLPBF
Fabricante
Infineon Technologies
Allelco Modelo do Produto
32D-IRFR9N20DTRLPBF
Modelo ECAD
Descrição das peças
MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK
Descrição detalhada
Embalagem
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Ficha de dados
IRFR9N20DTRLPBF.pdf
Estado de RoHS
Disponível: 4070

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Quantidade

Especificações

Especificações técnicas IRFR9N20DTRLPBF
Infineon Technologies - IRFR9N20DTRLPBF Especificações técnicas, atributos, parâmetros e peças com especificações semelhantes ao Infineon Technologies - IRFR9N20DTRLPBF

Atributo do Produto Valor do Atributo  
Fabricante Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 5.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Embalagem do dispositivo fornecedor D-Pak  
Série HEXFET®  
RDS ON (Max) @ Id, VGS 380mOhm @ 5.6A, 10V  
Dissipação de energia (Max) 86W (Tc)  
Caixa / Gabinete TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Pacote Tape & Reel (TR)  
Atributo do Produto Valor do Atributo  
Temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo de montagem Surface Mount  
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 560 pF @ 25 V  
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 27 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica FET -  
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 10V  
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 200 V  
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 9.4A (Tc)  

Peças com especificações semelhantes

As três partes à direita têm especificações semelhantes ao Infineon Technologies IRFR9N20DTRLPBF

Atributo do Produto IRFR9N20DTRLPBF IRFR9310TRPBF IRFRC20TRL IRFR9310TRLPBF
Modelo do Produto IRFR9N20DTRLPBF IRFR9310TRPBF IRFRC20TRL IRFR9310TRLPBF
Fabricante Infineon Technologies Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Embalagem do dispositivo fornecedor D-Pak D-Pak D-Pak D-Pak
Temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
VGS (th) (Max) @ Id 5.5V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Dissipação de energia (Max) 86W (Tc) 50W (Tc) 2.5W (Ta), 42W (Tc) 50W (Tc)
Tipo FET N-Channel P-Channel N-Channel P-Channel
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 200 V 400 V 600 V 400 V
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 10V 10V 10V 10V
Série HEXFET® - - -
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 27 nC @ 10 V 13 nC @ 10 V 18 nC @ 10 V 13 nC @ 10 V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V ±20V ±20V ±20V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 9.4A (Tc) 1.8A (Tc) 2A (Tc) 1.8A (Tc)
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 560 pF @ 25 V 270 pF @ 25 V 350 pF @ 25 V 270 pF @ 25 V
Pacote Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Característica FET - - - -
RDS ON (Max) @ Id, VGS 380mOhm @ 5.6A, 10V 7Ohm @ 1.1A, 10V 4.4Ohm @ 1.2A, 10V 7Ohm @ 1.1A, 10V
Caixa / Gabinete TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

IRFR9N20DTRLPBF PDF da folha de dados

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Tipo de transporte

Prazo de entrega

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Custo de entrega

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Método de entrega

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Referência de tempo logístico de países comuns
Região País Hora logística (dia)
América Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemanha 5
Reino Unido 4
Itália 5
Oceânia Austrália 6
Nova Zelândia 5
Ásia Índia 4
Japão 4
Médio Oriente Israel 6
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Taxas de remessa (kg) Referência DHL (USD $)
0,00kg-1,00kg USD $ 30,00 - USD $ 60,00
1,00kg-2.00kg USD $ 40,00 - USD $ 80,00
2,00kg-3,00 kg US $ 50,00 - USD $ 100,00
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